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中国科学院大学硕士研究生导师信息：陈平

　　陈平 男 硕导 中国科学院半导体研究所

　　电子邮件： pchen@semi.ac.cn

　　通信地址： 北京海淀区清华东路甲35号1号楼214室

　　邮政编码： 100083

　　招生信息

　　招生专业

　　080903-微电子学与固体电子学

　　招生方向

　　III-V光电子材料外延生长和器件研制

　　GaN基激光器

　　AlN场发射材料及器件

　　教育背景

　　2003-09--2008-06 中国科学院研究生院 博士

　　1999-09--2003-06 中国科学技术大学 学士

　　工作经历

　　工作简历

　　2018-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员

　　2017-09~2019-09,美国佐治亚理工学院, 访问学者

　　2013-01~2017-12,中国科学院半导体研究所, 副研究员

　　2008-07~2012-12,中国科学院半导体研究所, 助理研究员

　　2003-09~2008-06,中国科学院研究生院, 博士

　　1999-09~2003-06,中国科学技术大学, 学士

　　教授课程

　　宽禁带半导体光电子材料与器件

　　专利与奖励

　　专利成果

　　( 1 ) 低比接触电阻率的p型接触层以及氮化镓基紫外激光器, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010263086.2

　　( 2 ) 具有复合波导层的氮化镓基近紫外激光器, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010234429.2

　　( 3 ) 具有AlInN镁反向扩散阻挡层的氮化镓基紫外激光器, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010234396.1

　　( 4 ) 抑制反向漏电的氮化镓基紫外发光器件及其制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010234397.6

　　( 5 ) 一种具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器, 2018, 第 1 作者, 专利号: ZL.201510052314.0

　　( 6 ) 阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL.201510094612.6

　　( 7 ) 碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL.201510094613.0

　　( 8 ) 小型化、集成化的硅基场发射-接收器件, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL.201510094671.3

　　( 9 ) 可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL.201510093713.1

　　出版信息

　　发表论文

　　(1) Epitaxial growth and optically pumped stimulated emission in AlGaN/InGaN ultraviolet multi-quantum-well structures, Journal of Electronic Materials, 2020, 第 1 作者

　　(2) Evaluation of polarization field in InGaN/GaN multiple quantum well structures by using electro- luminescence spectra shift, Chin. Phys. B, 2020, 第 1 作者

　　(3) Optical stimulated emission in AlGaN/InGaN ultraviolet multiquantum-well structures, Proc. SPIE, 2019, 第 1 作者

　　(4) Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells' position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes, AIP Advances, 2017, 第 1 作者

　　(5) Investigation of breakdown mechanism during field emission process of AlN thin film microscopic cold cathode, J. Vac. Sci. Technol. B, 2016, 通讯作者

　　(6) Large filed emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC, Chem. Phys. Lett., 2016, 通讯作者

　　(7) The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes, AIP Advances, 2016, 第 1 作者

　　(8) Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC, Chin. Phys. B, 2016, 通讯作者

　　(9) Thin film micro-scaled cold cathode structures of undoped and Si-doped AlN grown on SiC substrate with low turn-on voltage, Chin. Phys. B, 2015, 通讯作者

　　(10) The effect of composite GaN/InGaN last barrier layer on electron leakage current and modal gain of InGaN-based multiple quantum well laser diodes, Phys. Status Solidi A, 2015, 第 1 作者

　　(11) High Power InGaN-based Blue-Violet Laser Diode Array with Broad-area Stripe, Chin. Phys. Lett. 30, 104205, 2013, 第 1 作者

　　(12) Quadratic electro-optic effect in GaN-based materials, Appl. Phys. Lett. 100, 161901, 2012, 第 1 作者

　　(13) Improvement of characteristics of InGaN-based laser diodes with undoped InGaN upper waveguide layer, J. Appl. Phys. 112, 113105, 2012, 第 1 作者

　　(14) Interaction between the intrinsic second- and third-order optical fields in Al0.53Ga0.47N/GaN heterostructure, Applied Physics Letters, 92, 161112, 2008, 第 1 作者

　　(15) Enhanced Pockels effect in GaN/AlxGa1-xN superlattice measured by polarization maintaining fiber Mach-Zehnder interferometer, Applied Physics Letters, 91, 031103, 2007, 第 1 作者

　　科研活动

　　科研项目

　　( 1 ) 负电子亲和势AlN冷阴极材料的平面电子发射特性研究, 主持, 国家级, 2014-01--2017-12

　　( 2 ) 宽带隙半导体激光器关键科学问题研究, 参与, 国家级, 2013-01--2016-12

　　( 3 ) 中国科学院青年创新促进会, 主持, 部委级, 2014-01--2017-12

　　( 4 ) 低In组分InGaN量子阱中载流子泄漏的抑制及GaN基近紫外激光器研究, 主持, 国家级, 2017-01--2020-12

　　( 5 ) 第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术, 参与, 国家级, 2016-07--2021-06

　　( 6 ) 硅衬底ALGaN基紫外LED, 参与, 部委级, 2017-01--2018-12

　　( 7 ) GaN基紫外垂直腔面发射激光器的量子效率调控和器件研制, 主持, 国家级, 2021-01--2024-12

　　参与会议

　　(1)Growth of AlGaN/InGaN multiple quantum wells and p-AlGaN layers for 369nm ultraviolet light emitting devices 2019-07-28

　　(2)Epitaxial growth and optically pumped stimulated emission in AlGaN/InGaN ultraviolet multi-quantum-well structures 2019-06-26

　　(3)Material growth and device fabrication of GaN-based ultraviolet laser diodes 2019-02-02

　　(4)Material growth and device fabrication of GaN-based laser diodes in ultraviolet region from 390 nm towards 370 nm 2018-06-27

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