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　　中国科学院大学硕士研究生导师信息：崔利杰

　　崔利杰 男 硕导 中国科学院半导体研究所

　　电子邮件： ljcui@red.semi.ac.cn

　　通信地址： 北京海淀区清华东路甲35号中科院半导体所材料科学重点实验室

　　邮政编码：

　　招生信息

　　招生专业

　　080501-材料物理与化学

　　招生方向

　　分子束外延，二维电子气，自旋轨道耦合，化合物半导体

　　垂直腔面发射激光器，激光器

　　InGaAs太赫兹外延材料

　　教育背景

　　2002-07--2004-10 中国科学院半导体研究所 博士后流动站

　　1999-09--2002-06 中国科学院半导体研究所 博士

　　工作经历

　　工作简历

　　2004-11~现在, 中国科学院半导体研究所, 任职

　　2002-07~2004-10,中国科学院半导体研究所, 博士后流动站

　　1999-09~2002-06,中国科学院半导体研究所, 博士

　　专利与奖励

　　专利成果

　　( 1 ) p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN201310419775.8

　　出版信息

　　发表论文

　　(1) Beating patterns in the Shubnikov-de Haas oscillations originated from spin splitting in In0.52Al0.48As/In0.65Ga0.35As heterostructures: experiment and calculation, PhysicaE, 2016, 第 1 作者

　　(2) Growth and characterization of highly nitrogen doped ZnTe films on GaAs (001) by molecular beam epitaxy, Materials Science in Semiconductor Processing, 2015, 第 4 作者

　　(3) 硅基II-VI族单结及多结太阳电池研究进展, 半导体技术, 2014, 第 3 作者

　　(4) Structural, surface, and electrical properties of nitrogen ion implanted ZnTe epilayers, Appl. Phys. A, 2014, 第 3 作者

　　(5) II-VI族材料在叠层太阳能电池中的应用, 真空科学与技术学报, 2013, 第 3 作者

　　(6) 快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响, 半导体技术, 2013, 第 4 作者

　　(7) 常用太阳电池结构模拟软件应用分析, 中国材料科技与设备, 2013, 第 2 作者

　　(8) Effects of a ZnTe buffer layer on structural quality and morphology of CdTe epilayer grown on (001)GaAs by molecular beam epitaxy, Vacuum, 2012, 第 4 作者

　　科研活动

　　科研项目

　　( 1 ) 新型II-VI/III-V族多结叠层太阳电池材料与器件研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2017-12

　　( 2 ) 新型窄带隙锑化物二维电子气材料的自旋轨道耦合研究, 参与, 地方任务, 2014-01--2016-12

　　( 3 ) 中压高稳定碳化硅MOSFET芯片关键工艺及制备技术研究, 参与, 国家任务, 2016-07--2021-06

　　( 4 ) 量子霍尔器件研制, 参与, 国家任务, 2021-01--2023-12

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