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北京理工大学考研初试考查范围:集成电路工程基础 北京理工集成电路专硕分数

2023-09-07 09:03:25 来源:天任考研  

北京理工大学考研初试考查范围:集成电路工程基础 北京理工集成电路专硕分数

2024考研初试科目可分为公共课与专业课两个部分,其中专业课备考很多考生不知如何下手,部分研招院校会在官网发布专业课自命题科目的考试大纲或者参考书目,各位考生要注意关注,以下是为大家整理的北京理工大学考研初试范围:集成电路工程基础,供参考。

887 集成电路工程基础

1. 考试内容

(1)电子技术基础部分

主要包括二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。掌握二极管的基本应用。掌握BJT和FET放大电路的组成和工作原理。掌握图解分析法和等效模型分析法。掌握放大电路的三种组态及性能特点。电路的三种耦合方式及特点。反馈的基本概念:正、负反馈;电压、电流、串联、并联负反馈;掌握反馈类型和极性判断,引入负反馈对放大性能的影响。掌握运放电路的基本构成,差放与电流源电路。掌握比例、加减、微积分线性运算电路。一般了解对数、指数运算电路的工作原理。掌握频率响应的概念,以及放大电路频率响应的分析,了解产生自激振荡的条件。掌握一阶、二阶有源滤波器的电路组成、频率特性。掌握电压比较器,用电压比较器组成的非正弦波发生电路。

(2)半导体物理部分

主要包含半导体中的电子状态;半导体中的电子状态和能带、电子的运动,本征半导体的导电机构、空穴,回旋共振,硅和锗的能带结构;半导体中的杂质和缺陷能级,硅、锗晶体中的杂质能级、缺陷、位错能级;半导体中载流子的统计分布、状态密度,费米能级、载流子浓度的计算,简并半导体;载流子的位移与扩散运动,载流子的散射、迁移率、电阻率、强场效应、热载流子、多能谷散射,耿氏效应;非平衡载流子的注入,复合寿命,费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的迁移运动,爱因斯坦关系,连续性方程;PN结的伏安特性,PN结电容,击穿;金属和半导体的接触的理论,少子的注入与欧姆接触;表面态,表面场效应,C-V特性,表面电场对PN结特性的影响;半导体的光学性质,光电性质,发光现象,半导体激光器;半导体的热电性质,温差电动势率,热电效应及其应用;半导体磁效应和压阻效应。

2. 题型及分值安排

(1) 题型:简答题和计算题。简答题包含概念题和重要数学公式及其物理意义,计算题包含数学模型、重要物理量计算、设计等。

(2) 分值安排:简答题占40%,计算题占60%。

参考书目

《电子技术基础-模拟部分》(第6版)高等教育出版社康华光2013年
半导体物理学(第7版)电子工业出版社刘恩科,朱秉升,罗晋生等2017年

想了解更多研招院校考试大纲及参考书目信息,大家可以继续关注天任教育考研初试栏目,预祝各位考生所有的努力都能迎来收获。

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